高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道分析

对高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道进行了分析．推导出轴向导引磁场与反向传播的激光摇摆场作用下的单粒子电子运动轨道，并对轨道的稳定性进行了分析．发现当瑞利长度较大时，得到的结果与平面电磁波摇摆场的结果相一致．与静磁摇摆场的自由电子激光相似，在激光摇摆场中的电子轨道也存在两类分立轨道，但是，与静磁摇摆场不同的是，这两类轨道都是稳定的 关键词：     

微加工薄膜变形镜特性分析

 借助测量微加工薄膜变形镜驱动器的面形影响函数，分析了驱动器的电压-位移函数和驱动器之间的线性叠加性;通过对连续面形变形镜拟合像差的理论分析和实验研究，建立了微加工薄膜变形镜电压解耦模型。分析了对前36阶Zernike模式的拟合残差和拟合能力，指出微加工薄膜变形镜仅可用来拟合低级像差并且有较大的拟合能力和较小的拟合残差，而不能拟合高级像差。     

氩等离子体物态方程的TF简化模型

对于高温高压下氩等离子体的电离度和物态方程,本文给出了一种基于Thomas-Feimi(TF)统计模型的简化计算新方法:首先将TF模型电离势的数值结果进行函数逼近,给出一个便于数值求解的计算电离度的近似计算方法,并由此计算了局部热动平衡下的氩等离子体在10～1000 eV高温范围内的物态方程.计算结果与国外报道的其他几种理论模型的计算结果均符合很好,与实验值也吻合较好.本文所提出的简单模型也适用于计算混合物物态方程,可以在电磁发射技术领域中的强电离等离子体中有更为广阔的应用前景.     

MOCVD生长的GaN单晶膜透射光谱研究

采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜，使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品，实验结果表明：GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致，即透射率越大，半高宽越小，结晶质量越好；而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品，其PL谱的带边峰却很弱，这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系，同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS／沟道结果。     

三溴偶氮胂褪色光度法测定土壤及化学试剂中铬（VI）

在 0 .4 8mol/L硝酸介质中 ,Cr( )与三溴偶氮胂 (TBA)发生褪色反应 ,该反应的表观摩尔吸光系数ε516nm=1.0 4× 10 5L· mol-1· cm-1,铬 ( )含量在 0— 1.0× 10 -4 g/L范围内呈良好线性关系。该法用于土样及化学试剂中 Cr( )的测定 ,结果令人满意。     

氢化物-非色散原子荧光法测定饲料矿物添加剂中的砷

本文采用氢化物－非色散原子荧光光谱法研究了十几种饲料矿物添加剂中金属离子对砷测定的干扰，采用加入硫脲－抗坏血酸混合溶液、碘化钾分离、加热蒸干等方法消除干扰。同时本文还对测定砷的酸度、硼氢化钾浓度和仪器工作参数进行了研究和优化。方法相对标准偏差（RSD）为0．54％，检出限（D．L）为54．5ng/L，样品国．加标回收率为102．9％。实际样品测定结果与胂斑法相比具有很好的一致性。     

两类记录值之和的中心极限定理

该文给出了Ｌｏｇｉｓｔｉｃ分布纪录值序列部分和的中心极限定理；对于Ｐａｒｅｔｏ分布纪录值序列的部分和T_n，获得了ｌｎT_n的中心极限定理．这一工作不仅具有概率论的极限理论方面的研究价值，而且在金融、保险等领域也具有相当重要的应用前景．     

GPS/SINS组合导航系统在运载火箭中的应用

针对运载火箭特点,着重研究在发射惯性坐标系下,位置、速度组合模式的GPS/SINS组合导航算法,推导了该坐标系下的惯导一阶误差传播方程,建立了该坐标系下GPS/SINS组合导航系统的状态方程和观测方程,并进行了相关数学仿真验证。仿真结果表明,在该坐标系中,GPS/SINS组合导航算法能较准确地给出运载火箭的位置、速度和姿态信息,提高运载火箭制导精度。     

Magnetic Properties of Hf0.8Ta0.2（Fe0.97A0.03）2 （A=Al, Co, Mn） Systems

Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.